Південнокорейський виробник мікросхем пам’яті SK Hynix Inc. оголосив про масштабну кампанію з нарощування виробничих потужностей у країні, що оцінюється в 54 трильйони вон (еквівалентно 38 мільярдам доларів США). Ці вкладення мають на меті подвоїти обсяги випуску продукції та подолати глобальний дефіцит напівпровідникових компонентів.
Про це інформує Delo.ua, посилаючись на публікацію Bloomberg.
Другий за розміром виробник пам’яті у світі планує зведення нового заводу для виробництва оперативної пам’яті DRAM у місті Йон’ін, а також підприємства з виготовлення флеш-пам’яті NAND у місті Чхонджу.
Представники компанії наголосили, що цей крок є прямою реакцією на стрімке зростання потреби в чіпах пам’яті в епоху штучного інтелекту.
Графік будівництва та плани компанії
Новий виробничий об’єкт Yongin Y2 стане другим із чотирьох запланованих комплексів у напівпровідниковому центрі міста Йон’ін. Будівельні роботи розпочнуться у липні наступного року, а запуск першої чистої кімнати для виробництва пам’яті з високою пропускною здатністю (HBM) та інших типів DRAM наступного покоління очікується в червні 2029 року.
Реконструкція заводу Cheongju M17 розпочнеться у лютому, з орієнтиром на введення чистої кімнати в експлуатацію наприкінці 2028 року. Загальний термін інвестиційної програми розрахований до квітня 2031 року.
Південна Корея має намір подвоїти власні потужності з виробництва пам’яті протягом п’яти років. Незважаючи на оголошені інвестиції, вартість акцій SK Hynix на біржі в Сеулі впала на 4,9%, проте відбулося невелике відновлення після повідомлень про намір компанії презентувати новий механізм повернення капіталу акціонерам у третьому кварталі.
Нагадаємо, відомий виробник мікросхем інвестує 31 мільярд доларів у капітальні витрати на 2026 рік, аби уникнути дефіциту на ринку. Цей показник перевищує минулорічний обсяг капіталовкладень компанії на 50%.